Toshiba использует технологию перфорации кремния для повышения эффективности 3D NAND

Энтузиасты аппаратного обеспечения с нетерпением ждут более быстрых, доступных и надежных продуктов хранения данных, в то время как крупные центры обработки данных больше заботятся об энергоэффективности. В этой статье мы хотим познакомить вас с технологией кремниевой перфорации (TSV), используемой в флэш-памяти Toshiba BiCS 3D TLC NAND.

Он утверждает, что снижает энергопотребление приложений хранения данных, обеспечивая при этом низкую задержку, высокую пропускную способность и высокий IOPS на ватт твердотельных накопителей корпоративного класса.По данным зарубежных СМИ, это первый кремни